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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      驱（qū）动电压(V)：

      10

      通（tōng）道（dào）极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3/-55~125

      描述：

      600V,190mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功（gōng）率MOSFET


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